前面已经对于肖特基系列二极管进行了一些简单的分析，且对它的工作原理有了一些简单的分析，那么下面将继续分析肖特基系列二极管的内部电路结构。

          那么典型的肖特基系列二极管内部电路结构主要是由N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层，然后利用二氧化硅来消除边缘区域的电场，而提高二极管的耐压值。

          由于N型基片它具有很小的通态电阻，所以它的掺杂浓度要比H-层要高100%倍。另外在基片的下边会形成N+阴极层，那么它的作用主要是减少阴极的接触电阻，然后通过调整结构参数，N型基片以及阳极金属之间也就会形成一个肖特基势垒。

          当我们在肖特基势垒的两端进行阳极金属接电源正极和N型基片接电源负极的操作时，这时肖特基势垒层就会变窄，而且它的内部电阻会变小；相反，肖特基的势垒层则就会变宽，且它的内阻也会变大。

          那么上面就是针对典型的肖特基系列二极管的内部电路的分析，当然关于这一块后续还会继续分析它其它方面的信息。另：这方面有什么不懂的地方可以来咨询我们。

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