前面已经对快恢复开关二极管的相关信息做了一些分析，也将它和肖特基系列二极管做了一个对比，那么从这当中我们知道快恢复开关二极管的相关优势体现，那么接下来我们来简单的了解下快恢复开关二极管的内部结构。

          一般来说快恢复开关二极管的内部结构和一些普通的二极管是不同的，因为它在P型和N型的硅材料中间增加了基区，构成P-基区-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了反向恢复时间，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其反向恢复时间可低至几十纳秒。

         那么20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管和对管两种。对管内部包含两只快恢复开关二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。几十安的快恢复开关二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。

         那么关于快恢复开关二极管的一些内部结构就是上面这些，然后也包括了它的一些封装形式等，这主要看我们的需要。

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